На начальных этапах производства чипов (front-end-of-line, FEOL) растровый электронный микроскоп (РЭМ) широко применяется для контроля качества и диагностики технологических процессов на таких ключевых этапах, как литография, травление и осаждение тонких плёнок. Он позволяет обнаруживать обрывы, короткие замыкания и мостиковые соединения в линиях, а также дефекты рисунка при литографии и травлении, оценивать толщину плёнки, качество покрытия и конформность покрытия ступенек, а также точно определять положение и глубину PN-перехода. Для перспективных структур транзисторов, таких как FinFET и GAA, визуализация высокого разрешения позволяет характеризовать критические размеры нанометрового масштаба.
