Для различных дискретных приборов, пассивных компонентов и собранных электронных компонентов растровый электронный микроскоп (РЭМ) часто используется для анализа отказов и контроля качества. С помощью изображений высокого разрешения можно выявлять микроскопические дефекты, такие как обрыв, короткое замыкание и мостиковые соединения в слое металлизации. В сочетании с режимом контраста по напряжению можно диагностировать эффект защелкивания (latch-up) в КМОП-схемах и пути утечки PN-перехода. Для термисторов, сегнетоэлектрических материалов, пассивирующих слоев и других материалов также можно наблюдать размер зерна, распределение частиц и микроструктуру, что обеспечивает основу для оптимизации характеристик приборов и улучшения технологии изготовления.
