РЭМ широко применяется для обнаружения дефектов полупроводниковых пластин, измерения критических размеров, а также для повторного контроля и классификации дефектов после финального CP-тестирования. Оборудование для повторного контроля дефектов с помощью электронного луча позволяет получать изображения морфологии дефектов поверхности пластины высокого разрешения. На основе алгоритмов автоматического распознавания и классификации дефектов, управляемых глубоким обучением, обеспечивается интеллектуальное обнаружение и классификация hotspot-дефектов; одновременно выполняется точное измерение ширины линий и размеров профиля рисунка многослойных тонкопленочных структур на пластине, локализация технологических аномалий, что предоставляет наглядные микроскопические доказательства и количественную поддержку данных для оптимизации технологического процесса и повышения выхода годных чипов.
