Методика XAFS (тонкой структуры рентгеновского поглощения) раскрывает микрохимическое окружение и структурную информацию на атомном уровне, измеряя изменение коэффициента поглощения монохроматического рентгеновского излучения материалом в зависимости от энергии. Её основной принцип заключается в следующем: когда энергия падающего рентгеновского излучения достигает энергии связи внутренних электронов определённого элемента в образце, происходит ионизация и электронный переход, формируя характеристический край поглощения. На высокоэнергетической стороне края поглощения рассеянная волна фотоэлектронов от окружающих атомов интерферирует с исходной волной, создавая тонкие осцилляции на спектре поглощения. Эти осциллирующие функции после математического преобразования позволяют точно определить ключевые структурные параметры, такие как тип соседних атомов, длины связей, координационное число и степень неупорядоченности вокруг поглощающего атома — подобно созданию «локального снимка», раскрывающего его ближайшее окружение.

Данный прибор, используя источник рентгеновского излучения высокой яркости, систему монохроматизации и фокусировки на сферически изогнутых кристаллах, а также детектор высокого разрешения, успешно воспроизводит эту мощную методику синхротронной характеризации в обычных лабораторных условиях. Это обеспечивает удобное и точное исследование электронной структуры и атомной конфигурации материалов.